N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（）

开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种 中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。 是增强型场效应管的一个重要参数（） N型半导体中电子是少子，空穴是多子。 场效应管自给偏压电路适合于增强型场效应管组成的放大电路。() N沟道结型场效应管导电沟道中的导电载流子为 N型半导体——（电子为少子,空穴为多子）（） N型半导体——（电子为多子,空穴为少子）（） N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小 结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（） N沟道的绝缘栅型场效应管用（）表示。 增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。() 增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道 增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流。 增强型场效应管的最大特点是只有UGS小于零时，管子才有电流（） 增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时（） P型半导体——（电子为多子,空穴为少子）（） P型半导体——（电子为少子,空穴为多子）（）