MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件（）

晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件（） 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。 晶体三极管是由（）PN结构成的一种半导体器件。 半导体三极管是一种( ) 晶闸管又叫（），它是一种大功率半导体器件。 晶闸管又叫（），它是一种大功率半导体器件 光电二极管是一种把电能转换为光能的半导体器件（） 在数据避雷器中有两种动作类型防雷器件，一种是（），比如压敏电阻，半导体稳压管等；另一种是导通型器件，比如气体管、固体管、雪崩二极管等。 硅是一种间接带隙半导体，而锗是一种直接带隙半导体（） 光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（） 是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件 IGBT是一种电压控制型器件。() LED是一种直接把电能转变为光能的半导体器件。（） LED是一种直接把电能转变为光能的半导体器件（） 绝缘栅双极型晶体管IGBT，将MOSFET与的优点集于一身，是一种复合型电力半导体器件（） IGBT是一种三端功率半导体器件，其显著的特色是电流容量高，开关速度快。 光电池是一种能把光能转换成电能的半导体器件（） 可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（） 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（） LK1164哪一种半导体器件拥有“发射极”？（）