用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？

测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的 试品电容量15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（ ）档位置。 变压器外壳在运行中直接接地，所以现场测试时采用QS1型西林电桥( )。 使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大（） 合上QS1型西林电桥的检流计电源开关后，检流计无显示的原因与（）无关。 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰（） 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。 QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）（） 当采用QS1型西林电桥，以低压电源、CN＝0.01F进行测量时，其Cx的可测范围是300pF～1000F（） 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（） 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？ QS1电桥主要包括升压试验设备、QS1电桥桥体及标准电容器三部分。 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（） 在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tanδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）A标准电容器B标准电感C标准电阻（） QS1电桥主要包括三部分（）